Innholdsfortegnelse:
- Definisjon - Hva betyr DRAM (Dynamic Random Access Memory)?
- Techopedia forklarer Dynamic Random Access Memory (DRAM)
Definisjon - Hva betyr DRAM (Dynamic Random Access Memory)?
Dynamic random access memory (DRAM) er en type minne for tilfeldig tilgang som brukes i databehandlingsenheter (hovedsakelig PCer). DRAM lagrer hver bit av data i en separat passiv elektronisk komponent som er inne i et integrert kretskort. Hver elektriske komponent har to verdistilstander i en bit kalt 0 og 1. Denne captivatoren trenger å bli oppdatert ofte ellers fortoner informasjonen seg. DRAM har en kondensator og en transistor per bit i motsetning til statisk random access memory (SRAM) som krever 6 transistorer. Kondensatorene og transistorene som brukes er usedvanlig små. Det er millioner av kondensatorer og transistorer som passer på en enkelt minnebrikke.
Techopedia forklarer Dynamic Random Access Memory (DRAM)
DRAM er dynamisk minne og SRAM er statisk minne. DRAM-brikkene på et kretskort trenger å oppdatere hvert par millisekunder. Dette gjøres ved å skrive om dataene til modulen. Chips som trenger forfriskning er flyktig minne. DRAM får direkte tilgang til minnet, holder minnet i en kort periode og mister dataene når strømmen er slått av. SRAM er flyktig minne som er statisk og ikke trenger forfriskende. Fordi SRAM er mye raskere, brukes den i registre og hurtigbufferminne. SRAM holder data og yter i høyere hastigheter enn DRAM. Selv om SRAM er raskere, brukes DRAM oftere på hovedkortet fordi det er mye billigere å produsere.
De tre hovedtyper av kretskort som inneholder minnebrikker er doble in-line minnemoduler (DIMM-er), enkle in-line minnemoduler (SIMM-er) og Rambus-in-line minnemoduler (RIMM). I dag bruker de fleste hovedkort DIMM-er. Modulen oppdateringsfrekvens for DRAM er hvert par millisekunder (1/1000 sekund). Denne forfriskningen gjøres av minnekontrolleren som ligger på brikkesettet til hovedkortet. Fordi oppdateringslogikk brukes til automatisk oppdatering, er et DRAM-kretskort ganske komplisert. Det er forskjellige systemer som brukes til å oppdatere, men alle metoder krever en teller for å holde oversikt over rekken som må oppdateres neste gang. DRAM-cellene er organisert i en firkantet samling av kondensatorer, typisk 1024 til 1024 celler. Når en celle er i "lese" -tilstand, blir en hel rad lest opp og oppdateringen blir skrevet tilbake. Når du er i en "skriv" -tilstand, blir en hel rad "lest" ut, en verdi blir endret, og deretter blir hele raden skrevet om. Avhengig av systemet er det DRAM-brikker som inneholder en teller, mens andre systemer er avhengige av en perifer oppdateringslogikk som inkluderer en teller. DRAMs tilgangstid er rundt 60 nanosekunder, mens SRAM kan være så lav som 10 nanosekunder. I tillegg er DRAMs sykkeltid mye lengre enn SRAM. Syklustiden til SRAM er kortere fordi den ikke trenger å stoppe mellom tilganger og oppdateringer.
